اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 250 گیگابایت
Samsung 970 Evo Internal SSD Drive -250GB
- ابعاد: 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر
- وزن: 8 گرم
- وزن: 8 گرم
- ظرفیت: 250 گیگابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
- میانگین عمر: 1.5 میلیون ساعت
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: تا 3400 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: تا 1500 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: تا 15000 IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: تا 350,000 IOPS
- مصرف برق: ماکزیمم:9 وات
- کنترل کننده: Phoenix Controller
- نوع فلش: MLC
- قابلیتهای مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
- قابلیتهای حافظه: پشتیبانی از TRIM
- ظرفیت: 250 گیگابایت
- مقاوم در برابر ضربه: خیر
- مقاوم در برابر شوک: بله
- رابط: PCI-Express 3.0 x4
- ضد خش: خیر
- فرم فاکتور: M.2
- مقاوم در برابر لرزش: بله
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
- میانگین عمر: 1.5 میلیون ساعت
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: تا 3400 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: تا 1500 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: تا 15000 IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: تا 350,000 IOPS
- مصرف برق: ماکزیمم:9 وات
- پشتیبانی از RAID: خیر
- حافظه کش: 512MB/s
- کنترل کننده: Phoenix Controller
- نوع فلش: MLC
- پشتیبانی از TRIM: بله
+ موارد بیشتر
- بستن
کد محصول:38513
قیمت : ناموجود
نقد و بررسی
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 250 گیگابایت
Samsung 970 Evo Internal SSD Drive -250GB
مشخصات فنی
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 250 گیگابایت
Samsung 970 Evo Internal SSD Drive -250GB
مشخصات فیزیکی
-
ابعاد2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر
-
وزن8 گرم
مشخصات
-
وزن8 گرم
-
ظرفیت250 گیگابایت
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
-
میانگین عمر1.5 میلیون ساعت
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبیتا 3400 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبیتا 1500 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیتا 15000 IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیتا 350,000 IOPS
-
مصرف برقماکزیمم:9 وات
-
کنترل کنندهPhoenix Controller
-
نوع فلشMLC
-
قابلیتهای مقاومتیمقاوم در برابر لرزش
-
قابلیتهای حافظهپشتیبانی از TRIM
مشخصات فنی
-
ظرفیت250 گیگابایت
-
مقاوم در برابر ضربهخیر
-
مقاوم در برابر شوکبله
-
رابطPCI-Express 3.0 x4
-
ضد خشخیر
-
فرم فاکتورM.2
-
مقاوم در برابر لرزشبله
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
-
میانگین عمر1.5 میلیون ساعت
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبیتا 3400 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبیتا 1500 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیتا 15000 IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیتا 350,000 IOPS
-
مصرف برقماکزیمم:9 وات
-
پشتیبانی از RAIDخیر
-
حافظه کش512MB/s
-
کنترل کنندهPhoenix Controller
-
نوع فلشMLC
-
پشتیبانی از TRIMبله