مشخصات

• وزن
  9.7 گرم
• سایر قابلیت‌ها
  قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلی‌متر دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گراد حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G
• ظرفیت
  یک ترابایت
• حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
  1500G
• میانگین عمر
  1500000 ساعت
• سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
  3000MB/S
• سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
  3300MB/S
• سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
  420K (IOPS)
• سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
  550K (IOPS)
• مصرف برق
  4 ولت
• کنترل کننده
  PHISON E15T
• نوع فلش
  3D NAND
• قابلیت‌های مقاومتی
  مقاومت در برابر شوک و لرزش
• نوع رابط حافظه
  PCIe Gen3x4, NVMe 1.4