اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
- وزن: ۹۷۰۰ گرم
- سایر قابلیتها: - فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری و امنیت داده ها (Pyrite) - LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm - End to End Data Path Protection - APST (Autonomous Power State Transition)
- ظرفیت: 500 گیگابایت
- رابطها: PCI Express
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
- میانگین عمر: 3300 TBW
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 3600 (MB/S)
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 2300 (MB/S)
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 300K (IOPS)
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 550K (IOPS)
- کنترل کننده: PHISON E19T
- نوع فلش: 3D NAND
- قابلیتهای مقاومتی: مقاومت در برابر شوک و لرزش
- قابلیتهای حافظه: پشتیبانی از TRIM
+ موارد بیشتر
- بستن
کد محصول:3344234
قیمت : ناموجود
نقد و بررسی
اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
هاردها به دلیل آن که برای ذخیرهسازی اطلاعات از قسمتهای الکترومکانیکی استفاده میکنند در برابر ضربات، شوکها و لرزشها بسیار حساس هستند و احتمال آسیبدیدگی آنها و از دست رفتن اطلاعات وجود دارد اما حافظههای SSD برخلاف هارددیسکها برای انجام پردازشهای مربوط به ذخیرهسازی اطلاعات از هیچ قسمت حرکتی استفاده نمیکنند و این موضوع باعث مقاومت آنها دربرابر شوک میشود. هارد ام اس آی SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 دارای ظرفیتی 500 گیگابایتی است. این هارد ابعادی برابر 80x22x2.15 میلیمتری دارد. این هارد 9700 گرم وزن دارد. این هارد قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) دارد. همچنین دارای فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) بوده و دارای رمزگذاری و امنیت داده ها (Pyrite) است. میانگین عمر این هارد 1500000 ساعت خواهد بود.
مشخصات فنی
اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
مشخصات
-
وزن۹۷۰۰ گرم
-
سایر قابلیتها- فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری و امنیت داده ها (Pyrite) - LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm - End to End Data Path Protection - APST (Autonomous Power State Transition)
-
ظرفیت500 گیگابایت
-
رابطهاPCI Express
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
-
میانگین عمر3300 TBW
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی3600 (MB/S)
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی2300 (MB/S)
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی300K (IOPS)
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی550K (IOPS)
-
کنترل کنندهPHISON E19T
-
نوع فلش3D NAND
-
قابلیتهای مقاومتیمقاومت در برابر شوک و لرزش
-
قابلیتهای حافظهپشتیبانی از TRIM