اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 1 ترابایت

  • ابعاد: 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
  • وزن: 8 گرم
  • وزن: 8 گرم
  • ظرفیت: یک ترابایت
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
  • میانگین عمر: طول عمر 600 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 3,400 MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 2,500 MB/S
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 500,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 450,000 IOPS
  • کنترل کننده: PHOENIX
  • نوع فلش: MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
  • ظرفیت: 1 ترابایت
  • مقاوم در برابر ضربه: بله
  • مقاوم در برابر شوک: بله
  • رابط: PCI-Express 3.0 x4
  • ضد خش: خیر
  • فرم فاکتور: M.2
  • مقاوم در برابر لرزش: بله
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
  • میانگین عمر: طول عمر 600 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 3,400 MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 2,500 MB/S
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 500,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 450,000 IOPS
  • پشتیبانی از RAID: خیر
  • قابلیت پشتیبانی از NCQ: خیر
  • کنترل کننده: PHOENIX
  • نوع فلش: MLC
  • پشتیبانی از TRIM: بله
+ موارد بیشتر - بستن

کد محصول:28976

قیمت : ناموجود

نقد و بررسی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 1 ترابایت

مشخصات فنی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 970 EVO ظرفیت 1 ترابایت

مشخصات فیزیکی

  • ابعاد
    2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
  • وزن
    8 گرم

مشخصات

  • وزن
    8 گرم
  • ظرفیت
    یک ترابایت
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
    1500G
  • میانگین عمر
    طول عمر 600 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
    3,400 MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
    2,500 MB/S
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
    500,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
    450,000 IOPS
  • کنترل کننده
    PHOENIX
  • نوع فلش
    MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی
    مقاوم در برابر لرزش

مشخصات فنی

  • ظرفیت
    1 ترابایت
  • مقاوم در برابر ضربه
    بله
  • مقاوم در برابر شوک
    بله
  • رابط
    PCI-Express 3.0 x4
  • ضد خش
    خیر
  • فرم فاکتور
    M.2
  • مقاوم در برابر لرزش
    بله
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
    1500G
  • میانگین عمر
    طول عمر 600 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
    3,400 MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
    2,500 MB/S
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
    500,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
    450,000 IOPS
  • پشتیبانی از RAID
    خیر
  • قابلیت پشتیبانی از NCQ
    خیر
  • کنترل کننده
    PHOENIX
  • نوع فلش
    MLC
  • پشتیبانی از TRIM
    بله