اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB

  • ابعاد: 80.15 * 22.15 * 2.38 میلی‌متر
  • وزن: 8 گرم
  • وزن: 8 گرم
  • ظرفیت: 500 گیگابایت
  • نوع رابط: SATA 3.0
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
  • میانگین عمر: طول عمر :300 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 97000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 88000 IOPS
  • مصرف برق: ماکزیمم 4 وات
  • کنترل کننده: MJX کنترلر
  • نوع فلش: MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
  • قابلیت‌های حافظه: پشتیبانی از TRIM
  • ظرفیت: 500 گیگابایت
  • مقاوم در برابر ضربه: خیر
  • مقاوم در برابر شوک: بله
  • رابط: SATAIII
  • ضد خش: خیر
  • سرعت انتقال اطلاعات: 550MB/S
  • فرم فاکتور: M.2
  • مقاوم در برابر لرزش: بله
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
  • میانگین عمر: طول عمر :300 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 97000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 88000 IOPS
  • مصرف برق: ماکزیمم 4 وات
  • پشتیبانی از RAID: خیر
  • حافظه کش: 512MB/s
  • کنترل کننده: MJX کنترلر
  • نوع فلش: MLC
  • پشتیبانی از TRIM: بله
+ موارد بیشتر - بستن

کد محصول:28970

قیمت : ناموجود

نقد و بررسی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB

مشخصات فنی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB

مشخصات فیزیکی

  • ابعاد
    80.15 * 22.15 * 2.38 میلی‌متر
  • وزن
    8 گرم

مشخصات

  • وزن
    8 گرم
  • ظرفیت
    500 گیگابایت
  • نوع رابط
    SATA 3.0
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
    1500G
  • میانگین عمر
    طول عمر :300 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
    550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
    520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
    97000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
    88000 IOPS
  • مصرف برق
    ماکزیمم 4 وات
  • کنترل کننده
    MJX کنترلر
  • نوع فلش
    MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی
    مقاوم در برابر لرزش
  • قابلیت‌های حافظه
    پشتیبانی از TRIM

مشخصات فنی

  • ظرفیت
    500 گیگابایت
  • مقاوم در برابر ضربه
    خیر
  • مقاوم در برابر شوک
    بله
  • رابط
    SATAIII
  • ضد خش
    خیر
  • سرعت انتقال اطلاعات
    550MB/S
  • فرم فاکتور
    M.2
  • مقاوم در برابر لرزش
    بله
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
    1500G
  • میانگین عمر
    طول عمر :300 TBW
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
    550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
    520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
    97000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
    88000 IOPS
  • مصرف برق
    ماکزیمم 4 وات
  • پشتیبانی از RAID
    خیر
  • حافظه کش
    512MB/s
  • کنترل کننده
    MJX کنترلر
  • نوع فلش
    MLC
  • پشتیبانی از TRIM
    بله