اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت
Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB
- ابعاد: 80.15 * 22.15 * 2.38 میلیمتر
- وزن: 8 گرم
- وزن: 8 گرم
- ظرفیت: 500 گیگابایت
- نوع رابط: SATA 3.0
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
- میانگین عمر: طول عمر :300 TBW
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 550MB/S
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 520MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 97000 IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 88000 IOPS
- مصرف برق: ماکزیمم 4 وات
- کنترل کننده: MJX کنترلر
- نوع فلش: MLC
- قابلیتهای مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
- قابلیتهای حافظه: پشتیبانی از TRIM
- ظرفیت: 500 گیگابایت
- مقاوم در برابر ضربه: خیر
- مقاوم در برابر شوک: بله
- رابط: SATAIII
- ضد خش: خیر
- سرعت انتقال اطلاعات: 550MB/S
- فرم فاکتور: M.2
- مقاوم در برابر لرزش: بله
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
- میانگین عمر: طول عمر :300 TBW
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 550MB/S
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 520MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 97000 IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 88000 IOPS
- مصرف برق: ماکزیمم 4 وات
- پشتیبانی از RAID: خیر
- حافظه کش: 512MB/s
- کنترل کننده: MJX کنترلر
- نوع فلش: MLC
- پشتیبانی از TRIM: بله
+ موارد بیشتر
- بستن
کد محصول:28970
قیمت : ناموجود
نقد و بررسی
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت
Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB
مشخصات فنی
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت
Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive - 500GB
مشخصات فیزیکی
-
ابعاد80.15 * 22.15 * 2.38 میلیمتر
-
وزن8 گرم
مشخصات
-
وزن8 گرم
-
ظرفیت500 گیگابایت
-
نوع رابطSATA 3.0
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
-
میانگین عمرطول عمر :300 TBW
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی550MB/S
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی520MB/s
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی97000 IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی88000 IOPS
-
مصرف برقماکزیمم 4 وات
-
کنترل کنندهMJX کنترلر
-
نوع فلشMLC
-
قابلیتهای مقاومتیمقاوم در برابر لرزش
-
قابلیتهای حافظهپشتیبانی از TRIM
مشخصات فنی
-
ظرفیت500 گیگابایت
-
مقاوم در برابر ضربهخیر
-
مقاوم در برابر شوکبله
-
رابطSATAIII
-
ضد خشخیر
-
سرعت انتقال اطلاعات550MB/S
-
فرم فاکتورM.2
-
مقاوم در برابر لرزشبله
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
-
میانگین عمرطول عمر :300 TBW
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی550MB/S
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی520MB/s
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی97000 IOPS
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی88000 IOPS
-
مصرف برقماکزیمم 4 وات
-
پشتیبانی از RAIDخیر
-
حافظه کش512MB/s
-
کنترل کنندهMJX کنترلر
-
نوع فلشMLC
-
پشتیبانی از TRIMبله