درایورهای سری Intel SSD DC P4510 از فاکتور فرم U.2 2/5 X X 15 MM استفاده می کنند و در ظرفیت های مختلف از 1TB تا 8 ترابایت ارائه می شود. در هسته این درایوها همان کنترلر داخلی Intel است که از درایوهای سری SSD DC P4500 موجود استفاده می شود، اما به صورت جدیدتر، 64 لیهTLC 3D NAND و سیستم در حالی که طول عمر و QoS را نیز بهبود می بخشد. جابجایی به حافظه های جدیدی فلش 64 لایه 3 بعدی TLC NAND در این درایو ها نه تنها به اینتل اجازه می دهد ظرفیت های بالانری را ارائه دهد تا در نهایت حداکثر تراکم ذخیره سازی در هر سرور را بهبود بخشد، بلکه باعث کاهش مصرف برق نیز می شود. قدرت اوج زیر بار 16 وات با این درایوها است. ساختار در داخل شاسی یک جفت برد الکترونیکی PCB وجود داردکه با یک روبان محکم به هم وصل شده اند. یک PCB کنترلر ، مقداری DRAM، فلش و خازنهای را در خود جای داده است که مقداری از محافظت در برابر اتلاف انرژی را ارائه می دهند و دیگر PCB مملو از حافظه های فلش اضافی با مقادیر مختلف بسته به ظرفیت درایو است. IOPS های خواند / نوشتن تصادفی 4K نیز در رتبه بندی های 139K/637K نسبتا بالا هستند. همانطور که مشاهده کردید، NAND امروز می تواند یاک حافظه پنهان باشد اما به سمت یک ظرفیت حرکت می کند. این درایو ها هستندکه با تمرکز روی ذخیره مقدار زیادی از داده ها با هزینه کم ساخته شده اند. U2 15mm،کارتهای افزودنی وEDSFF برای این ظرفیت. واضح اس، پیام اینجاست که با اضافه کردن بسته های بیشتر NAND در PCB بزرگتر، اینتل می تواند مقدار ظرفیت درایو و کنترلر را برای کاهش هزینه ها به حداکثر برساند. این مدل اس اس دی اینتل در اصل دارای سه لایه SVS NVMe است و از نظر عملکرد، سطح پایین را اشغال می کند. این درایوها ظرفیت بالاتر و هزینه کمتری دارند.