اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 EvoSSD Internal Drive 500GB

  • وزن: 100 گرم
  • ظرفیت: 500 گیگابایت
  • نوع رابط: SATA 3.0
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی: 98,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی: 90,000 IOPS
  • نوع فلش: MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
  • قابلیت‌های حافظه: پشتیبانی از TRIM
+ موارد بیشتر - بستن

کد محصول:1219536

قیمت : ناموجود

نقد و بررسی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 EvoSSD Internal Drive 500GB

 یکی از جدیدترین محصولات  شرکت سامسونگ، درایو اس‌اس‌دی «860EVO » است. سریEVO 860سامسونگ با استفاده از حافظه‌های  V-NAND تولید شده ‌است و سرعت و پایداری فوق‌العاده‌ای را به همراه دارد. با تهیه‌ی این درایو SSD می‌توانید روزانه به صورت میانگین تا 42 گیگابایت داده را روی آن کپی کنید و با چنین نرخ انتقالی تا 10 سال از یک درایو SSD با بهترین کیفیت و بیشترین سرعت بهره‌مند شوید. MLC بودن این ماژول‌ها، نویدبخش پایداری و طول عمر بالای این حافظه‌هاست. حداکثر سرعت خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه، سرعت فوق‌العاده خوبی برای یک حافظه SSD است  از لحاظ سازگاری این محصول با سیستم عامل‌های مختلف هم، با مشکلی مواجه نخواهید شد؛ چراکه این حافظه می‌تواند با اکثر نسخه‌های سیستم‌عامل ویندوز مایکروسافت هماهنگ شود و بالاترین سطوح عملکردی را از خود به نمایش بگذارد. علاوه‌بر ظرفیت‌های1و2 و4 ترابایتی، امکان تهیه‌ی 860 EVO در دو ظرفیت  250 و500 گیگابایت هم وجود دارد. این حافظه‌ها برای مصارف حرفه‌ای ساخته شده‌اند و با خرید یکی از آن‌ها، یک‌بار برای همیشه خیال خود را از بابت حافظه‌ی ذخیره‌سازی راحت می‌کنید.

مشخصات فنی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung 860 EvoSSD Internal Drive 500GB

مشخصات

  • وزن
    100 گرم
  • ظرفیت
    500 گیگابایت
  • نوع رابط
    SATA 3.0
  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
    1500G
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
    550MB/S
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
    520MB/s
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
    98,000 IOPS
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
    90,000 IOPS
  • نوع فلش
    MLC
  • قابلیت‌های مقاومتی
    مقاوم در برابر لرزش
  • قابلیت‌های حافظه
    پشتیبانی از TRIM