مشخصات

• وزن
  10 گرم
• سایر قابلیت‌ها
  فلاش همزمان سه بعدی NAND با سرعت بالا
  M.2 M کلید پشتیبانی می شود
  فناوری SLC Caching برای افزایش عملکرد R / W
  پیشرفته LDPC ECC Engine برای جلوگیری از خطاهای داده
  الگوریتم قدرتمند تسطیح سایش و فناوری جمع آوری زباله باعث افزایش طول عمر می شود
  دمای کار 0 ~ 70 درجه سانتیگراد
  ولتاژ 3.3 ولت
  فلاش همزمان سه بعدی NAND با سرعت بالا M.2 M کلید پشتیبانی می شود فناوری SLC Caching برای افزایش عملکرد R / W پیشرفته LDPC ECC Engine برای جلوگیری از خطاهای داده الگوریتم قدرتمند تسطیح سایش و فناوری جمع آوری زباله باعث افزایش طول عمر می شود دمای کار 0 ~ 70 درجه سانتیگراد ولتاژ 3.3 ولت
• ظرفیت
  512 گیگابایت
• حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
  1500G /0.5ms
• میانگین عمر
  2,000,000 ساعت
• سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
  1950MB/s
• سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
  1550MB/s
• سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
  130K
• سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
  230K
• مصرف برق
  3.5 وات
  3.5 وات
• کنترل کننده
  سیستم نظارت بر S.M.A.R.T
• قابلیت‌های حافظه
  پشتیبانی از NCQ